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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
46
读取速度,GB/s
13.9
11.0
写入速度,GB/s
8.6
8.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2481
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
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