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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
13.9
9.3
写入速度,GB/s
8.6
6.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1493
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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