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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
18.4
写入速度,GB/s
8.6
13.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3277
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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