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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
18.3
写入速度,GB/s
8.6
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3491
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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