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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
8.6
13.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3208
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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