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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
27
读取速度,GB/s
4,937.3
17.4
写入速度,GB/s
2,061.2
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3557
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
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