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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
10.4
16.5
写入速度,GB/s
7.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2892
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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