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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
14.7
写入速度,GB/s
8.6
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2476
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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