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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
92
左右 -254% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
26
读取速度,GB/s
2,105.4
14.8
写入速度,GB/s
1,266.1
10.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
2849
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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