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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
92
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
53
读取速度,GB/s
2,105.4
13.5
写入速度,GB/s
1,266.1
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
2871
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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