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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
92
左右 -338% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
21
读取速度,GB/s
2,105.4
18.0
写入速度,GB/s
1,266.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
2769
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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