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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
92
左右 -171% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
34
读取速度,GB/s
2,105.4
18.0
写入速度,GB/s
1,266.1
11.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3243
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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