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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
92
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.2
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.4
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
41
读取速度,GB/s
2,105.4
8.2
写入速度,GB/s
1,266.1
5.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
1704
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
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