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Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
比较
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
总分
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.0
19.3
写入速度,GB/s
9.3
16.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2031
3687
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
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