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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
13.7
17.9
写入速度,GB/s
9.7
15.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2431
3733
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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