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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
14.9
15.4
写入速度,GB/s
9.5
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2513
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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