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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.9
17.9
写入速度,GB/s
9.5
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3241
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB RAM的比较
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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