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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
14.9
14.3
写入速度,GB/s
9.5
9.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2546
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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