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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
14.9
17.4
写入速度,GB/s
9.5
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3162
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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