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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
14.9
17.6
写入速度,GB/s
9.5
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3189
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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