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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
39
读取速度,GB/s
14.9
14.3
写入速度,GB/s
9.5
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2880
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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