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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
39
读取速度,GB/s
14.9
14.3
写入速度,GB/s
9.5
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2880
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
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