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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
80
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
80
读取速度,GB/s
14.9
14.1
写入速度,GB/s
9.5
7.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
1564
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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