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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
73
读取速度,GB/s
14.9
15.0
写入速度,GB/s
9.5
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
1838
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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