RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
14.9
17.2
写入速度,GB/s
9.5
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3208
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link