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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston 9905678-065.A00G 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
14.9
13.2
写入速度,GB/s
9.5
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2404
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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