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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston 9905701-010.A00G 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
74
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
74
读取速度,GB/s
14.9
13.3
写入速度,GB/s
9.5
6.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
1636
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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