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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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规格
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
14.9
16.0
写入速度,GB/s
9.5
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2923
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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