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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Maxsun MSD48G32Q3 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
94
左右 62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
94
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.5
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2771
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
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Maxsun MSD48G32Q3 8GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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