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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
14.9
15.0
写入速度,GB/s
9.5
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3005
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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