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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
14.9
16.8
写入速度,GB/s
9.5
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3239
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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