Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

总分
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

总分
star star star star star
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    36 left arrow 59
    左右 39% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    20.1 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    10.6 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 12800
    左右 1.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    36 left arrow 59
  • 读取速度,GB/s
    14.9 left arrow 20.1
  • 写入速度,GB/s
    9.5 left arrow 10.6
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2292 left arrow 2382
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较