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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
59
读取速度,GB/s
14.9
20.1
写入速度,GB/s
9.5
10.6
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2382
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
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