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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
14.9
15.4
写入速度,GB/s
9.5
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2763
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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