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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
14.9
16.2
写入速度,GB/s
9.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3116
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
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