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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,077.3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
61
左右 -126% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
27
读取速度,GB/s
3,835.2
18.0
写入速度,GB/s
2,077.3
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
3531
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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