RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
61
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3531
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link