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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,077.3
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
61
左右 -154% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
24
读取速度,GB/s
3,835.2
15.8
写入速度,GB/s
2,077.3
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
2704
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Jinyu 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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