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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.4
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
3,573.5
17.7
写入速度,GB/s
1,308.1
15.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
3550
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
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Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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