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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
3,573.5
19.1
写入速度,GB/s
1,308.1
15.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
4053
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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