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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
28
读取速度,GB/s
3,573.5
16.4
写入速度,GB/s
1,308.1
11.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
3036
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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