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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 -135% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
23
读取速度,GB/s
3,573.5
16.0
写入速度,GB/s
1,308.1
11.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2816
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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