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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
26
读取速度,GB/s
3,573.5
13.4
写入速度,GB/s
1,308.1
11.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2673
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM的比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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