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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9905624-019.A00G 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
34
读取速度,GB/s
3,573.5
14.2
写入速度,GB/s
1,308.1
9.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2350
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
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