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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9905624-051.A00G 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
74
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.3
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
74
读取速度,GB/s
3,573.5
14.1
写入速度,GB/s
1,308.1
6.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
1495
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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