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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
3,573.5
17.9
写入速度,GB/s
1,308.1
14.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
3571
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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