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Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB

总分
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Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB

总分
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AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 37
    左右 30% 更低的延时
AMD R9S48G3206U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.6 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.9 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 20.6
  • 写入速度，GB/s
    7.7 left arrow 13.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1908 left arrow 3518

Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB RAM的比较

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston XF875V-MIH 8GB
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内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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内存RAM
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Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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内存RAM
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
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