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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
72
左右 -177% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
26
读取速度,GB/s
4,241.0
14.8
写入速度,GB/s
1,938.7
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3035
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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