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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
72
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
29
读取速度,GB/s
4,241.0
18.4
写入速度,GB/s
1,938.7
15.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3583
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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