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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
72
左右 -118% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
33
读取速度,GB/s
4,241.0
16.2
写入速度,GB/s
1,938.7
11.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3048
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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