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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
10.4
16.3
写入速度,GB/s
7.8
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2953
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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