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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
72
左右 -118% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
33
读取速度,GB/s
4,241.0
16.3
写入速度,GB/s
1,938.7
11.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2918
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
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